(图一:罗姆“全SiC”功率模块)
特点:
①开关损耗降低85%。内置最先进的SiC-SBD与SiC-MOSFET的“全SiC”模块,
与传统的Si-IGBT相比,开关损耗可降低85%
②与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时,体积减小约50%
③损耗低,因此发热少,可减小冷却装置体积,实现设备整体的小型化
据悉,通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法,使可靠性得以确保。另外,针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序,为了防止其发生特性劣化,罗姆开发了控制技术,于世界首家确立了"全SiC"功率模块的量产体制。罗姆将以SiC为首的功率元件事业作为发展战略之一定位,今后,加强实现更高耐压、更大电流的SiC元件/模块的产品阵容的同时,不断推进完善SiC 沟槽式MOSFET和SiC -IPM(智能电源模块)等SiC相关产品的阵容与量产化。
(图二:罗姆面向车载“内置绝缘元件的门极驱动”)
●特点:①采用罗姆自主研发的无铁芯变压器技术,内置2,500Vrms绝缘元件
②小型封装:与以往产品相比,封装面积降低50%以上 SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm)
③搭载所有车载变频器电路的保护功能,实现安全设计:米勒钳位功能、故障输出功能、
低电压时防止误操作功能、热保护功能、短路保护功能、短路保护时软关断功能
(图三:罗姆适用大电流的“超低阻值跳线电阻 -金属板型-)
(图四:罗姆适用于面向太阳能电池组件的“低VF、高可靠性肖特基势垒二极管)
(图五:罗姆面向高效率电源回路的“高耐压超级接点MOSFET)
电力电子元件方面,罗姆半导体将展出应用于电流线路变更时的循环、电源线路的切换、电路设计的简易化的“适用大电流的“超低阻值跳线电阻 -金属板型”(图三),它具有:降低大电流电源电路的电压漏失;导通阻值0.5mΩMax.(厚膜跳线电阻的1/100);适用大电流(15.8A~63.2A);适用于从便携设备到车载设备的大范围需求;实现完全无铅化以及额定电流与以往产品相比为20倍以上等特点。
另一款是“适用于面向太阳能电池组件的低VF、高可靠性肖特基势垒二极管”(图四),应用于电源(二次整流电路)、太阳能电池板用分线盒等,具有提高电流效率,实现低VF化和满足Tj=175℃的特点。图五是罗姆面向高效率电源回路的“高耐压超级接点MOSFET”应用于高效率电源回路,具有低导通电阻、低噪音和可进行小型封装的良好特点。
PCIM是电力转换与智能运动的英文缩写,为来自电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的广 大专业人士提供了一个良好的交流平台,使他们有机会领略电力电子产品和系统领域的最新研发成果。其展览会与研讨会内容涵盖分立器件、无源器件、电源管理与IC、散热管理以及测试测量、伺服技术和测试设备等。更多信息尽在www.pcim-asia.com
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罗姆半导体诚邀您的光临!
时间:2012/6/19-6/21
地点:上海世博展览馆4号馆 国展路1099号
展位:507
关于罗姆:
罗姆(ROHM)是全球著名半导体厂商之一,创立于1958年,是总部位于日本京都市的跨国集团公司。"品质第一"是罗姆的一贯方针。我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献。
历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被动元件以及模块产品。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
罗姆十分重视中国市场,已陆续在全国设立多家代表机构,在大连和天津先后开设工厂,并在上海和深圳设立技术中心和品质保证中心提供技术和品质支持。
了解更多,欢迎点击:http://www.rohm.com.cn
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