●开关损耗降低85％

●与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50％

●损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化

本产品计划在罗姆总部工厂（京都市）从3月份下旬开始量产、出货。
       近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。

       根据估算，将传统的Si半导体全部替换为SiC后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量※2，因此，各公司都已强化了相关研究开发。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，在行业中遥遥领先。
      与此同时，关于“全SiC”模块，即所内置的功率元件全部将Si替换为SiC，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。

      此次，通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。另外，针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了“全SiC”功率模块的量产体制。

       内置最先进的SiC-SBD和SiC-MOSFET两种元件，与传统的Si-IGBT模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85％。另外，与IGBT模块相比，在10倍于其的频率－100kHz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200～400A的Si-IGBT模块进行替换。

       不仅如此，通过设计和工艺的改善，罗姆还成功开发出散热性卓越的模块。替换传统的400A级别的Si-IGBT模块时，体积可减小约50％。由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。

        据了解，SiC为主的功率元件事业将成为罗姆发展战略定位之一，该公司在加强实现更高耐压、更大电流的SiC元件/模块的产品阵容的同时，也将不断推进完善SiC 沟槽式MOSFET和SiC-IPM（智能电源模块）等SiC相关产品的阵容与量产化。