新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET?技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m的低导通电阻

　　宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 1 月9 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK? SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK  SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件，导通电阻分别小于200m?和100m?。

　　今天推出的MOSFET适用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器，以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，其低导通电阻可实现更低的导通电阻，从而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下导通，简化了栅极驱动。

　　在导通电阻比尺寸更重要的应用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大导通电阻为83m?和130m?，导通电阻与栅极电荷乘积在10V和4.5V下分别为540mΩ-nC和455mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中评价MOSFET的优值系数(FOM)。对于尺寸大小更重要的应用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大导通电阻为185m?和310 m?，在10V、4.5V下的FOM为611mΩ-nC和558mΩ-nC。

　　SiB456DK和SiA416DJ进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的"财富1,000 强企业"，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及"一站式"服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。