“不过，碳化硅器件在应用上的短板，对我国碳化硅产业链的完整性产生了直接影响。”国家电网中国电力科学研究院电力电子所副总工程师杨霏说，碳化硅器件在电网应用仍处于示范工程阶段，随着碳化硅产业对新能源汽车、智能电网等渗透率持续提升，这一市场需求有望加快打开。“随着分布式电源进入配网并形成有源配网后，电力电子技术将成为新型电力系统刚需。一旦变成刚需，电网对碳化硅器件的需求量，较现在将呈现出数量级的大幅增长”。

据悉，万伏千安级碳化硅器件正在加快研发，在近年内实现样品研制后将逐步进入商业化批量应用，届时国产碳化硅器件有望全面覆盖高压输电领域，以产能与技术的“双向奔赴”推动新型电力系统建设。

这一背景下，天岳先进以硬核技术助力行业新突破。

据天岳先进介绍，目前基于量产的n型碳化硅衬底制备的单极型MOSFET器件主要用于600-1200V的中压应用场景，对于特高压系统10kV以上的耐压器件，p型碳化硅衬底制备的双极型IGBT器件具有巨大的应用潜力。另外，基于p型衬底的SiC IGBT模块，可减少50%串联器件数量，降低换流阀损耗40%以上。这种本质性的性能提升，单条特高压直流线路年节电可超1亿度。

我国已在n型碳化硅衬底领域取得重要进展，p型衬底因其特殊的掺杂工艺和技术门槛，尚处于产业化黎明期。

在SEMICON China2025展会上，天岳先进全方位展示了6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵,包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电p型及12英寸导电n型碳化硅衬底。
 

source：天岳先进
 

随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，碳化硅器件也将在光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业应用上迎来快速发展。