source：集邦化合物半导体截图

根据公告，计划选址于无锡分公司，新增第二代框架式功率模块产品150万片产能。扩建项目完成后，上汽英飞凌无锡分公司的年产能将从现有的260万个提升至420万个。

公开资料显示，上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司由上汽集团（持股51%）与英飞凌（持股49%）于2018年3月合资成立，总部位于上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂的扩建项目内，在2018下半年开始批量生产。 

英飞凌无锡工厂则成立于1995年，前身为西门子半导体无锡工厂，专注于半导体后道封装测试、功率半导体（如IGBT模块）及智能卡芯片生产。

今年3月，英飞凌举行了“无锡新楼启用暨落户30周年庆典”活动，历经三十年的深耕发展，无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一。

source：英飞凌

回顾英飞凌无锡工厂发展，最早可追溯到2015年，英飞凌在无锡增资，设立了英飞凌半导体（无锡）有限公司，生产IGBT模块。2020年11月6日，英飞凌宣布将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。

英飞凌《年产180万个汽车功率半导体产品无锡分公司项目》环评文件显示，2019年该项目取得无锡市新吴区安全生产监督管理和环境保护局批复，完成第一阶段验收，实现年产汽车功率半导体70万个生产能力。

2023年，上汽英飞凌新增总投资3.2532亿元，在无锡分公司扩建《260 万个汽车功率半导体产品项目》。英飞凌对无锡全厂生产线生产能力进行重新调配，将原环评审批的年产汽车功率半导体180万个生产规模扩产至年产260万个汽车功率半导体产品。该项目已于2024 年5月取得新吴区行政审批局的立项备案意见。

2025年1月，无锡高新区（新吴区）举行一季度重大项目，其中提到，英飞凌功率半导体器件项目引进暨无锡生产基地扩产项目正在加紧建设，总投资15.5亿元。据无锡市人民政府消息，英飞凌无锡基地还在不断扩大规模，引进全球最新的第三代功率半导体器件产品，打造国内最具规模、国际技术一流的先进功率半导体器件生产基地。

值得注意的是，上汽英飞凌的HybridPACK Drive功率模块兼具高功率密度、低能量损耗的特点，采用英飞凌最先进的第7代IGBT/EDT2芯片和首创的模块封装技术。

公开资料显示，英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上。该技术已获认可并向客户发布。另外，英飞凌已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率，推动GaN市场的快速增长。