当地时间12月10日，美国拜登政府宣布，美国商务部根据《芯片与科学法案》激励计划，向美国存储芯片大厂美光科技提供高达61.65 亿美元的直接资金资助，以支持美光科技未来20年内在纽约州投资1000亿美元和在爱达荷州投资 250 亿美元的产能建设计划，预计将创造这约 20,000 个就业岗位，并将帮助美国将其在先进存储制造领域的份额从目前的不到 2% 提高到 2035 年的约 10%。商务部将根据美光项目里程碑的完成情况发放资金。
美国商务部表示，这项投资将通过加强国内尖端 DRAM 芯片的可靠供应来帮助增强美国经济的韧性，这些芯片是个人计算、工业、高性能计算、汽车、工业、无线通信和人工智能等先进技术的重要组成部分。美光的 DRAM 芯片还为该公司的高性能内存（称为高带宽内存 (HBM)）提供动力，这对于实现新的 AI 模型至关重要。利用这笔资金，美光计划在纽约和爱达荷州扩大最先进内存半导体技术的开发和生产，并承诺在 2020 年前投入约 500 亿美元。
此外，拜登政府还宣布，商务部已与美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，拟拨款高达 2.75 亿美元，用于支持美光扩建和现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。
未来几年，该工厂的现代化的预期资本支出将达到 20 亿美元。拟议项目将包括把美光的 1-alpha 技术引入其马纳萨斯工厂，显著提高每月晶圆产量。美光的 1-alpha 节点是一种先进的 DRAM 工艺技术，在位密度、功率效率和性能方面都有显著的改进。支持美光 1-alpha 技术的稳定供应将提高美国供应链的弹性，因为弗吉尼亚州生产的传统 DRAM 内存芯片是汽车和工业市场的重要组成部分。美光在马纳萨斯的拟议项目预计将在项目高峰期创造 400 多个制造业岗位和多达 2700 个社区岗位。
值得注意的是，目前美光正在世界各地加码扩产。据悉，美光在中国台湾的工厂将于2025年开始生产1γ DRAM，其日本广岛工厂将于2026年开始生产。近期，美光在其2024财年三季度的财务报告中也进一步明确了美国爱达荷州和纽约两地工厂的运营时间表，爱达荷州的新工厂将在2026年9月至2027年9月之间投产，纽约工厂的投产时间则预计在2028年或之后。
美光将根据未来DRAM内存的需求情况，合理安排这些工厂的设备投资和生产计划。据悉，这些新工厂的建设是为了满足近10年内的供应增长需求。并且，据行业最新消息显示，美光还正在考虑在马来西亚增设生产基地，以及期望在中国台湾收购相关的面板厂以进行扩产。
美光科技预计2024财年的财务支出约为80亿美元，晶圆厂设备（WFE）的年度支出有所减少。而在2024财年最后一个季度，公司预计将投入约30亿美元用于工厂建设、新晶圆厂设备购置以及多项扩展和升级项目。对于2025财年，美光计划大幅增加财务支出，预计支出将占到收入的30%以上。具体看，美光表示2025财年的季度财务支出将超过2024财年第四季度的30亿美元，这意味着2025财年的总支出将超过120亿美元。据悉，在2025财年的财务支出中，美光科技除了有超过20亿美元用于在爱达荷州和纽约建设新的工厂外，还将大幅增加高带宽内存（HBM）的组装和测试以及制造、后端设施建设的财务支出。
美国商务部长吉娜·雷蒙多表示：“内存芯片是所有先进技术的基础，得益于两党共同制定的《芯片与科学法案》，美国正在重建生产这些关键能力的能力。通过对美光的投资，我们正在实现 CHIPS 计划的核心目标之一，即在国内开发和生产最先进的内存半导体技术，这对于维护我们在人工智能领域的领导地位以及保护我们的经济和国家安全至关重要。”
据悉，《芯片法案》累计提供高达390亿美元的直接拨款、数十亿美元的特殊贷款以及高25%的税收抵免，以促进美国国内芯片制造业的发展趋势，推动“芯片制造业回流美国”，尤其是减少对于亚洲芯片供应链的过度依赖。
美国商务部已经正式宣布了与20多家芯片公司达成的初步性质协议，并且与包括来自中国台湾的“芯片代工之王”台积电，以及美国芯片制造巨头英特尔、GlobalFoundries以及Entegris在内的一些公司达成了最终性质的《芯片法案》补贴协议。拜登政府正在赶在候任总统唐纳德·特朗普重返白宫之前，尽快敲定这些协议。
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