极致的驾驶体验除了拥有卓越的性能，更需要高效的功耗控制实现长距离行驶和碳排放降低，让驾驶乐趣和节能效率并存！正是因为考虑到能源优化，东芝对有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET产品线进行拓展，新增三款采用SOP Advance(WF)封装的40V N沟道MOSFET。产品型号分别为XPHR9904PS、XPH2R404PS和XPH3R304PS，目前均已量产。
这几款新产品采用了U-MOSIX工艺降低漏源导通电阻（此前发布的XPHR7904PS和XPH1R104PS同样使用该工艺）。XPH2R404PS的漏源导通电阻为2.4mΩ（最大值），与东芝现有产品TPCA8083相比，约降低了27%；XPH3R304PS的漏源导通电阻为3.3mΩ（最大值），与东芝现有产品TPCA8085相比，约降低了42%；而XPHR9904PS的漏源导通电阻为0.99mΩ（最大值）。这些产品的漏源导通电阻的降低将有助于实现车载设备的低功耗。
新产品已通过车载器件可靠性标准AEC-Q101认证。IATF16949标准的生产件批准程序（PPAP）亦适用于这些产品。此外，其封装方式为表贴式封装SOP Advance(WF)，具有可焊锡侧翼引脚结构，便于对电路板贴装状态进行自动目视检测（AVI）。
这几款新品可应用于电机驱动器、开关电源、负载开关等汽车设备中。其特性如下：
低导通电阻
XPHR9904PS: RDS(ON)＝0.99mΩ (最大值)(VGS＝10V)
XPH2R404PS: RDS(ON)＝2.4mΩ (最大值)(VGS＝10V)
XPH3R304PS: RDS(ON)＝3.3mΩ (最大值)(VGS＝10V)
�� 符合AEC-Q101认证标准
�� IATF16949的PPAP也适用
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
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