用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM（MGFS52G38MB）

三菱电机集团近日（2024年6月4日）宣布，将于6月11日开始为5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化镓（GaN）功率放大器模块（PAM）的样品。PAM可用于32T32R mMIMO天线*2，以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗，随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展，预计PAM将得到越来越多地部署。三菱电机将于6月18日至20日在美国华盛顿特区举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS）2024上展出其新型16W GaN PAM。

使用mMIMO基站实现高速、大容量通信的工作主要在城市取得进展。为了进一步降低功耗和制造成本，对具有更高效率和模块化的功率放大器的需求不断增长。PAM在宽频率范围内实现符合3GPP标准的低失真特性*3，从而与不同国家/地区的移动网络广泛兼容。随着未来5G网络从城市中心扩展到偏远地区，要求mMIMO基站提供更广泛的通信范围和更低的成本，使用具备超高性能的功率放大器将帮助实现这种可能。

2023年9月，三菱电机开始提供GaN PAM的样品，该样品在3.4至3.8GHz的宽频率范围内实现8W（39dBm）的平均输出功率，适用于5G基站的64T64R mMIMO天线*4。此次发布的16W（42dBm） GaN PAM在3.3至3.8GHz的宽频率范围内实现了更高的平均输出功率，适用于32T32R mMIMO天线，扩展了5G mMIMO基站的通信范围，并通过减少所需的PAM数量降低了其制造成本。

产 品 特 点

减少功率放大器模块数量，扩展5G mMIMO基站通信范围

与现有的8W GaN PAM相比，新型16W GaN PAM使32T32R mMIMO天线使用的功率放大器数量减少了一半，同时达到了64T64R mMIMO天线的通信范围，从而降低了5G mMIMO基站的制造成本。

与现有的8W产品相比，16W的GaN PAM将64T64R mMIMO天线的功率提高了一倍，扩展了5G mMIMO基站的通信范围。

500MHz频段40%的高效率，降低了5G mMIMO基站的功耗

具有外延生长层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）*5，使其在5G环境中实现高效率和低失真特性。

三菱电机独特的宽带Doherty电路*6缓解了GaN HEMT输出寄生电容造成的带宽限制，在500MHz频段实现了40%的功率附加效率，从而降低5G mMIMO基站的功耗。

功率放大器的模块化，降低了5G mMIMO基站的电路设计负担和制造成本

三菱电机独特的高密度封装技术实现了5G基站功率放大器不可或缺的Doherty电路PAM。

新PAM的部署将减少5G mMIMO基站所需的组件数量，从而简化电路设计并降低制造成本。

主要规格

环保意识

本产品符合RoHS*7指令2011/65/EU和（EU）2015/863。