集成SiC MOSFET，支持1700V耐压

无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压；在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。

满足各类安规要求，降低系统验证时间

高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的专利技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关认证，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。

EMI显著优化，加速光耦继电器替换

传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表现和更高的可靠性支持客户在系统中同时采用多颗器件而不受影响，显著降低了设计难度，助力客户在系统设计中加速光耦替换。

封装和选型

NSI7258提供SOW12封装，兼容市场主流的光耦继电器。工规版本的NSI7258将于近期量产，车规版本的NSI7258-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，将于2024年7月量产。