数字储能网讯：2017版国标《电化学储能电站用锂离子电池管理系统技术规范》（GB/T 34131-2017）（以下简称“旧国标”）已完成修订，2023版国标《电力储能用电池管理系统》（GB/T 34131-2023）（以下简称“新国标”）近期已正式发布，将于今年10月1日正式实施。

BMS新旧国标对电流、电压、温度的采集误差和采样周期的对比（图：来源中国储能网）

针对BMS新国标政策，思开半导体新推出了一款60V、超低内阻的TOLL封装产品—— SS015N06LS，下面来了解一下这颗超新星产品的基本参数吧！

思开半导体的SS015N06LS是一款漏源击穿电压 60V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±20V，Vth 为3V，漏极电流最高 340A，VGS 为 10V时导通电阻RDS(on)典型值为 1.3mΩ，适用于DC-DC、BMS、汽车启动电源等大功率应用。

思开半导体的SS015N06LS已经成为BMS储能市场MOS管的爆款产品，并且已经开始大批量出货， 目前月出货量达到1kkpcs。下面来一起看看SS015N06LS具体有哪些成功案例吧！

针对BMS储能市场，思开半导体的高功率、大电流、低内阻的TOLL产品采用先进的SGT工艺以及先进的封装，产品具有极低的导通内阻和极低的栅电荷，以及增强的EAS能力，有效降低电池的温升、提高电池的可靠性。

思开半导体TOLL系列产品有着非常丰富的产品品类，可以满足不同的客户需求。但思开半导体将持续加强研发投入，打磨更多、更有竞争力的新产品，并同客户保持紧密的技术交流和沟通，及时洞悉市场变化和客户需求，以满足更多样化的市场需求。

储能技术发展迅速，相关规程规范也在加紧新编或修订以适应储能的快速发展需要，为行业的健康长远发展“精准指向”。思开半导体将持续致力于开发性能更优的BMS芯片，促进能源加速转型，共建绿色美好未来。