三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”

“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展，”AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”

这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。

利用最新的 DDR5 标准，三星的 12 纳米级 DRAM 将有助于解锁高达每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的速度。这相当于在一秒钟内处理两部 30 GB 的 UHD 电影。

新 DRAM 的超常速度与更高的能效相匹配。12 纳米级 DRAM 的功耗比以前的 DRAM 低 23%，将成为追求更环保运营的全球 IT 公司的理想解决方案。

随着大规模生产将于 2023 年开始，三星计划将其基于这种尖端 12 纳米级工艺技术构建的 DRAM 产品线扩展到广泛的细分市场，因为它继续与行业合作伙伴合作以支持下一代的快速扩展-代计算。

新消息传出，三星电子（Samsung Electronics）的DRAM 市占摔至8 年新低。记忆体市场凄惨，该公司却没打算删减资本支出、也无意下砍产出，或许与市占大减有关。

BusinessKorea 9日报导，南韩券商Eugene Investment & Securities报告称，今年第三季，全球DRAM销售额为179.73亿美元，较第二季急缩29.3%。

第三季，三星DRAM销售骤减33.7%，从第二季的111.21亿美元降至73.71亿美元，跌幅高于整体市场。与此同时，三星DRAM市占萎缩2.7%，从43.7%降至41.0%。根据IDC数据，这是三星2014年第三季以来的市占新低。

韩厂SK海力士（SK Hynix）和美商美光（Micron）市占分别排名第二、第三，这两家公司的销售跌幅小于三星，而且占有率双双提高。第三季，SK海力士市占上升1.9%至29.5%、美光上升0.8%至24.2%。

南韩三星电子持续称霸DRAM 市场，4~6 月期间横扫逾四成市占，市占率连三季扩大，美国美光（Micron）市占则陷入萎缩。

韩媒中央日报日文版17日报导，市场调查机构Omdia 16日资料显示，4~6月期间三星电子于DRAM市场拿下高达43.4%市占率，持续稳居龙头位置，且市占率连续第三季呈现扩大。

2021年10~12月时三星市占率扩大至41.9%、2022年1~3月扩大至42.7%、4~6月再扩大至43.4%。

4~6月SK海力士（SK Hynix）以28.1%市占率居第二，较前一季（1~3月）27.1%扬升1个百分点；美光市占率23.6%居第三，市占率较前一季24.8%下滑1.2个百分点。

NAND型快闪记忆体（Flash Memory）部分，4~6月三星以33.3%市占率稳居首位，不过较前一季35.5%萎缩2.2个百分点；SK海力士（含子公司Solidigm）市占率20.4%位居第二，其次为日本铠侠（Kioxia）16.0%，美国威腾电子（Western Digital）、美光市占率各为13.0%。

DRAM、NAND Flash等记忆体市场受全球景气低迷影响，导致需求萎缩、价格下滑，不过三星基于「积极投资、克服危机」想法，积极投资记忆体领域，5日宣布2023年量产第五代10纳米级DRAM、2024年量产第九代V-NAND。