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2000V 60A CoolSiC™ MOSFET
EasyPACK™ 3B首发产品
采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系统升压电路，每路电流IDN=60A
产品型号：
DF4-19MR20W3M1HF_B11
DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块。它实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度，降低了1500 VDC应用的总系统成本。
DF4-19MR20W3M1HF_B11是4路Boost升压电路，采用Easy 3B封装。
Easy 3B封装，采用最新一代的CoolSiC™ M1H芯片。2000V SiC MOSFET具有与1200V M1H系列相同的性能和优势，包括在125°C时降低12%的RDSon，更宽的栅源电压区，具有更高的灵活性，最大结温为175°C，并且芯片尺寸更小。
产品特点
2000V CoolSiC™ MOSFET，是增强的第1代产品
Easy 3B封装
4路升压电路
扩大了推荐的栅极驱动电压窗口，从+15...+18V和0...-5V
扩展的最大栅极-源极电压为+23V和-10V
过载条件下的Tvjop高达175°C
PressFIT压接针
应用价值
提高功率但器件数减少一半
最新的CoolSiC™技术使您可以完全自由地选择关断时的栅极电压
与1700V相比，FIT率降低了10倍，因为减少了宇宙射线引起的故障率
减少了由动态分量引起的漂移
目标应用
光伏升压电路
框图
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