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这里有你的一份IEGT速递,请签收

已有15504次阅读2022-07-29标签:
 
IEGT













对于大多数电子工程师而言,IEGT似乎是一个比较陌生的名词,在现实使用环境中往往将IEGT当成增强型的IGBT来使用,特别是在一些特定的高压大容量场合中常常能见到它的身影。由于IEGT在功能上继承了GTO和IGBT的特征优点,因此在各种大功率变流器中都有着不俗的表现。

为了使大家更了解IEGT的特性,下面以东芝半导体研发的IEGT产品ST2000GXH32为例进行说明。

 

图:IGBT、IEGT芯片剖面载流子分布

 

01


器件属性综述

 

IEGT有两种封装形式:PMIPPI,ST2000GXH32属于PPI封装形式,PPI是一种由东芝率先商业化的独特封装IGBT器件形式,具有可靠性高、功率密度大、防爆性能优异、方便压接使用、方便器件串联等优异特点。

 

图:ST2000GXH32封装效果图

 

在电气特性方面ST2000GXH32的额定电流为2000A,额定集电极-发射极电压为4500V,集电极-发射极饱和电压(最大值)为3.3V,二极管正向电压(最大值)为3.4V,并且器件在开关使用中所造成的能量损耗也是比较小的。

 

图:ST2000GXH32电气特性部分参数表

 

02


应用场景部署

 

基于PPI的高可靠性、高功率密度特性,双面冷却、易串联的特点,ST2000GXH32可用于高压直流输电工程。除此之外,该产品还可以安装在电力系统中,用作静止无功补偿装置,有助于提高电力质量和功率因数等。它也可以安装在高频变压器中,例如在大容量轧钢设备中使用的IEGT变频器,就是充分利用了串联、双面冷却的特点。

 

图:IEGT在直流高压电路中的简化设计图

 


在上世纪九十年代,东芝率先通过栅极注入增强技术降低IGBT器件的静态损耗,并且以栅极注入增强技术(Injection Enhanced Gate Transistor)的首字母注册了东芝专属的IGBT器件名称——IEGT。东芝半导体是全球先进的半导体生产设计制造公司,致力创新和突破传统元器件的特有属性,在保证可靠性能的前提下进一步提升芯片的功能属性和稳定特性,帮助市场更好服务大众。
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