在近期深圳PCIMAsia2021电力电子展上，东芝半导体（以下简称东芝）展出了东芝大功率器件IEGT、二电平拓扑的PPI压接装置、全碳化硅模块、智能功率器件、车载分立器件、分立器件封装产品线等产品。

凭借高可靠性、高效率和小尺寸的特点，东芝IEGT能支持新能源、输配电等大功率应用以及工业和牵引应用。据东芝电子元件（上海）有限公司分立器件战略业务企划统括部，分立器件应用技术部门高级经理屈兴国介绍，IEGT是InjectionEnhancedGateTransistor的简称，20世纪90年代末，东芝基于注入增强的技术注册了专用名称IEGT（栅极注入增强型晶体管），而实际上这个就是IGBT，只是名称不同而已。

PPI压接式封装IEGT器件

东芝的IEGT在封装上有着其独有的优势，分为PMI模块封装和PPI压接式封装两种封装。目前，东芝在IEGT模块上采用业界常用的PMI模块封装，这是一种采用铝碳化硅基板和高CTI的材质，具有更好的散热效果和绝缘性，可以应用于轨道交通牵引等严苛环境需求的场景。

而PPI压接式封装的IEGT可以说是东芝首创，PPI压接式通过上下铜板和钼片，直接把芯片压接在内部，芯片内部无引线键合。这种方式可做到双面散热，比单面散热的传统封装方式可靠性更高。第一代压接式产品内部采用晶闸管晶圆。在2000年以后，东芝停止了晶闸管的产品，改用IEGT芯片来生产PPI压接式IEGT，目前东芝主要有台面直径为85mm和125mm的压接式IEGT产品。

Driver by Bronze 驱动器（由青铜剑公司提供）

为了让客户可以便捷地使用和了解器件，东芝半导体和第三方公司进行了合作。本次展出的IEGT压接模组子单元，就是东芝半导体与雅创、青铜剑三方合作的产品。屈兴国举例说，客户想要了解一个器件，会先测试单颗器件的性能，如果性能达标会再设计相应的产品，而与青铜剑的合作可以助力客户快速测试器件，缩短客户开发周期。

本次展会，东芝还展示了碳化硅MOSFET模块。据了解，碳化硅MOSFET模块1700V／400A双管、3300V／800A双管产品均在开发中。其中，3300V／800A双管产品已在今年5月推出商业样品，今年9月-10月将进入量产阶段，该产品将主要应用在机车以及高压电子变压器领域。而1700V／400A双管产品预计会在年底推出，该产品主要应用在风电等新能源领域。屈兴国表示，东芝的纯碳化硅产品还属于工控产品，目前暂无车载碳化硅产品，不过已经计划车规级纯碳化硅器件。

“功率半导体未来将会在车载和工控这两个市场发挥重要的作用，这两个市场将是东芝半导体未来的发力方向。”屈兴国表示，东芝在车载领域有专门的产品线，重点在推新能源汽车主驱动模块里的芯片，主要是750V的EV芯片，东芝已经和国内的几家做模块的厂商进行合作。目前，该产品还在送样阶段，量产还需要一段时间。

在新能源汽车上的碳化硅应用，屈兴国认为，根据电池电压的不同，主要可分为300V-400V以及800V这两大类。其中，普通的乘用车采用300V-400V的电池，主要使用650V或750V的IGBT，这会是硅的主流市场；而大巴车或要求更高的车采用800V的电池，则需要用到1200V的功率器件，这将会是碳化硅的主流市场。

随着越来越多的本土厂商崛起，加上相关政策的扶持，功率器件国产化已经是大趋势。对此，东芝充分发挥自己小型化、高性能的优势，走差异化的发展路线。“面对市场的激烈竞争，不能一味地依靠价格去平衡，而是真正做出人家做不了的东西，这才是脱颖而出的关键一环。”在屈兴国看来，加大与国内厂商的合作也是应对激烈竞争的措施之一，不仅贴近市场还降低了成本。此外，东芝近几年一直在尝试功率器件本土化，像一些原材料在国内寻找资源替代。