功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件，适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的 SiC 器件未来可期。

　　
         目前全球 95% 以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，主要应用在资讯与微电子产业，不过，随着电动车、5G 等新应用兴起，推升高频率、高功率元件需求成长，矽基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，也让厂商开始争相投入化合物半导体领域。

　　
         第三代半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 等宽频化合物半导体材料，其中，碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势，可应用于 1200 伏特以上的高压环境。

　　
         相较于氮化镓，碳化硅更耐高温、耐高压，较适合应用于严苛的环境，应用层面广泛，如风电、铁路等大型交通工具，及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。

　　
         近来随着电动车与混合动力车发展，碳化硅材料快速在新能源车领域崛起，主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器。且据研究机构 IHS 与 Yole 预测，碳化矽晶圆的全球电力与功率半导体市场产值，将从去年的 13 亿美元，扩增至 2025 年的 52 亿美元。

　　
         在 IDM 厂方面，除英飞凌(Infi neo n)、罗姆(ROHM)等 IDM 大厂积极布局外，安森美半导体(ON Semiconductor)也在本月与 GTAT 签订 5 年碳化硅材料供给协议。

　　
         虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素，使碳化硅晶圆短期内难普及，但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局，且在电动车、5G 等需求持续驱动下，可望加速碳化硅晶圆产业发展。

　　
         就目前来说，SiC 和氮化镓 GaN 都属于宽禁带半导体，SiC 功率器件具有高品质的外延晶片以及比 GaN 更成熟的工艺技术，所以其在高压应用中更具吸引力。在大型硅晶片上异质外延生长的 GaN 基横向开关器件在相对低电压的应用中显示出很大的前景。当然，两者以及 Si 的发展还需要基于其生产设备以及工艺技术来评估。