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重磅新品发布 | 英飞凌全新一代氮化镓产品

据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。随着2023年对GaN Systems公司的成功收购，英飞凌今年>>查看全文

英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新

【2024年7月9日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）>>查看全文

伟创10mm直流无刷空心杯电机系统，为创新而

随着人工智能、机器人制造等技术的不断发展，人形机器人的智能化水平不断提高，其核心部件的需求也越来越广泛。伟创电气自步入机>>查看全文

森未科技200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10G

森未科技正式发布GA系列首品：S3L400R10GA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能，兼容性好，产品外形及引脚分布>>查看全文

适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器

第三代宽禁带半导体SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域，相比于普通的 Si 半导体功率器件，其具有耐高温，耐高压，低损耗和高>>查看全文

研华发布新一代基于昇腾平台的轻量级边缘A

2024 年6月，研华发布新一代轻量级边缘AI计算产品MIC-ATL2D开发板和MIC-ATL2S系统，搭载Ascend Atlas 200I A2平台，满足高性能的>>查看全文

三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与

在高功率应用中，碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）相比于硅基器件，具有更加耐高压、耐高温和没有反向恢复电荷等优势。三安半>>查看全文

英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOS

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近>>查看全文

英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这>>查看全文

大型机器人家族新成员！ABB正式推出IRB 77

近日，ABB机器人推出全新IRB 7710和IRB 7720，扩充了其大型机器人系列产品。这两款全新机器人再加上不久前推出的IRB 5710-IRB 5>>查看全文

支持LoRaWAN®+卫星通信(S-Band)的通信

通信模块：支持LoRaWAN+卫星通信株式会社村田制作所开发出了村田首款(1)支同时持LoRaWAN(2)和卫星通信的通信模块Type 2GT。 它可>>查看全文

400mA、高输出压摆率，纳芯微NSOPA240x系列

随着市场对高精度、高性能电机控制技术的不断追求，旋转变压器作为其核心部件之一，其精确测量角度位置和转速的能力显得尤为重要>>查看全文
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2010年，中国移动互联网用户规模达到3.03亿人2011年，中国移动互联网行业进入了更加快速发展的一年，无论是用户规模还是手机应用下载次数都有了快速的增长。在移动互联网发展的大的趋势下，中自传媒已经开始进行区别于传统互联网的运营模式探索，伴随着产业链和产业格局的变化提供创新的服务

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