中自数字移动传媒

您的位置:数字报刊 > 2012-6-29期 > 第A2版:今日资讯
第A2版:今日资讯 PDF原版

声明

凡本网注明"来源:中自传媒电子报刊的文字、图片和音视频作品,版权均属中自传媒电子报刊所有,任何媒体、网站或个人未经本网书面授权不得转载、链接、转贴或以其他方式使用;已 经本网书面授权的,在使用时必须注明"来源:中自传媒电子报刊"。

本网未注明"来源:中自传媒电子报刊的作品均为转载稿,本网转载并不意味着认同其观点或真实性。如其他媒体、网站或个人转载使用,请与著作权人联系,并自负法律责任。

上一篇 下一篇  

三菱电机汽车用J系列EV-IPM和EV T-PM深受欢迎

     三菱电机开发给汽车使用的J系列EV-IPMEVT-PM,在61921日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2012中亮相,吸引众多参观者的目光,纷纷了解这个高性能、超可靠、低损耗的汽车用功率半导体模块。

  受到近几年环保意识提高的影响,混合动力汽车和电动汽车等市场不断扩大。由于对汽车有着很高的安全性要求,因而对用于汽车马达驱动的功率半导体模块,也要求其具有超出普通工业用途的可靠性。

  三菱电机引领业界之先,于2004年采用以硬质树脂封装功率半导体硅片的压注模封装技术,生产出可靠性高且无铅化的汽车用功率半导体模块。这次,三菱电机又推出新的汽车用功率半导体模块J系列EV-IPMJ系列EVT-PM

  J系列EV-IPM采用第5LPT-CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器,杂散电感低。模块采用自1997年以来已成功量产的先进制造工艺,实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理,满足ELV车辆报废指令。目前开发的J系列EV-IPM产品的电流电压等级分别有:300A/600V600A/600V150A/1200V300A/1200V

  J系列EVT-PM采用第5~6LPT-CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器。模块内部构造不同于以往用铝电线连接功率半导体硅片和主端子,而是采用DLB构造,成功将主端子延长,使之直接与功率半导体硅片焊接。利用DLB构造提高了模块的可靠性。

   此外,模块采用21压注膜封装技术,使得模块内的配线电阻和电感得到减小,从而降低了模块的损耗。模块实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理。满足ELV车辆报废指令,确保用于汽车的质量与产品寿命。目前开发的J系列EVT-PM产品的电流电压等级分别有:300A/600V600A/600V300A/1200V
上一篇 下一篇   放大  缩小