VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。

今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。

400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。

D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。