经过近五年新能源汽车市场的高速发展，过去价格高昂的SiC功率器件已经被广泛应用到电动汽车上。而SiC的降本，一方面是源自整体产能的不断提高，包括衬底、外延以及晶圆制造等产线扩张；另一部分是源自过去十多年时间里，SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸，加上良率的提升。更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪费减少，单芯片成本降低。   因此目前SiC产业都往8英寸晶圆发展，Wolfspeed的报告显示，以32mm2面积的裸片（芯片）为例，8英寸晶圆上的裸片数量相比6英寸增加近90%，同时边缘裸片[登陆后可查看全文]