3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称“东芝”）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700V、漏极电流（DC）额定值为250A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”，并扩大了产品阵容。     据介绍，新产品MG250V2YMS3具有低导通损耗和0.8V的低漏源导通电压。它还具有低开关损耗，导通开关损耗低至18mJ，关断开关损耗低至11mJ。这有助于减小设备的功率损耗和冷却装置的尺寸。MG250V2YMS3具有12nH的低杂散电感，并且能够进行高速开关。 此外，它还能抑制开关操作时的浪涌[登陆后可查看全文]