3月7日，日本NGK（碍子）公司宣布将投资50亿日元（约合人民币2.44亿元）扩大绝缘散热电路板（以氮化硅基板进行金属化和蚀刻）生产能力的决定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。   由于（SiC）功率半导体越来越多地被采用，就要求该系统在大功率的高温环境下也能稳定运行，氮化硅绝缘散热电路板以高导热和高机械强度而在目前用于控制电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）电机的逆变器，实现高可靠性和优异的散热特性。   如上图所示，NGK拥有的自主接合（活性金属钎焊AMB）技术，可以让氮化硅陶瓷基板和铜板之间[登陆后可查看全文]