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晶湛半导体GaN外延片生产扩建项目竣工验收

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近日,据“独墅湖科创区发布”官微消息,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。 据悉,该项目占地面积16.5亩,总建筑面积2.2万平方米,总投资2.8亿元,预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN外延片12万片。 据此前消息,2022年7月底,苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体GaN外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。根据公示,晶湛半导体彼时正在进行“苏州晶湛半导体有限公司氮化镓外延片年产新增10000片项目”环境影响评价工作。 2022年11月初,晶湛半[登陆后可查看全文]
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