近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。   据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2、2DEG迁移率大于2000 cm2/Vs，片内与片间不均匀性小于1%，可以满足电力电子领域功率器件开发与应用需求。   中科重仪表示，其自主研发的电力电子方向硅基氮化镓外[登陆后可查看全文]