增强型GaN器件由于其优异的高频开关特性使得产品具有更高的能效和功率密度，从而减小充电器的体积和重量，在消费类的PD快充已经取得了广泛应用。目前的增强型GaN器件主要是采用各类DFN封装形式，由于DFN贴片封装具有较低的寄生参数，其非常适合GaN器件工作在较高的开速度和开关频率。
但是DFN封装的散热能力不足，不易进行系统热设计，且封装成本较高，限制了增强型GaN器件在更多场景的应用。据充电头网获悉，能华半导体为此于近期推出了TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI，以及采用该器件的适配器电源的应用解决方案。
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