近年来，在材料生长、器件制备等技术的不断突破下，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体的性价比优势逐渐显现。 简单来说，第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点，相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上，在提高能效、系统小型化、提高耐压等方面具有优势，是助力节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。 与SiC相比，GaN在成本方面表现出更强的潜力，且GaN器件是个平面器件，比现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成[登陆后可查看全文]