全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。此外，瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。 与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于EV开发人员节省电池[登陆后可查看全文]