东芝近日官网宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年8月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20％。 东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度，东芝宣布在内部生产用于功率半导体的SiC外延片，并且投资55亿用于功率器件扩产，包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。 东芝表示，未来这种“外延设备+外延片+器件”的IDM模式，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。 SiC在高压、高功率应用场景下性能[登陆后可查看全文]