随着功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展，传统的硅基功率半导体器件及其材料越来越接近物理极限，再往下发展的空间很有限。因而产业界纷纷将目光转向以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料聚焦，以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件。目前，国内外功率半导体大厂正在加紧布局中。 作为国内第三代半导体的领军企业，深圳基本半导体自成立以来便一直致力于SiC功率器件的研发与产业化。在外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等碳化硅器件产业链各个环节均有丰富的经[登陆后可查看全文]