中自数字移动传媒

立即订阅 自动化企业自己的杂志
服务热线 0755-82904254

当前位置:首页 >>精选文章 >>英飞凌:从JFET到MOSFET, CoolSiC™每一步都是认真的!

英飞凌:从JFET到MOSFET, CoolSiC™每一步都是认真的!

作 者: 单 位: 阅读 19845
  如何更高效更智能地利用能源,以应对全球气候与资源变化实现可持续发展,功率半导体作为能源产业链的最上游责无旁贷地要提出一些解决方案。过去20年,以英飞凌为主的功率半导体厂家推出、发展一代又一代的Si基IGBT,推动了功率器件市场的可持续进步。然而在即将到来的未来,随着对能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求,仅仅靠相对成熟的IGBT产品,难免会捉襟见肘。新型的复合半导体——SiC材料,将成为打开能源高效利用的另一把钥匙。 2018年5月16日,英飞凌携革命性碳化硅产品技术CoolSiC™ MOSFET,在[登陆后可查看全文]
用户登录关闭
用户名:
密 码:
注册