国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。   据张卫介绍，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，如U盘，数据写入需要几微[登陆后可查看全文]