12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议(SISC2017)上，日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司(Fujitsu Laboratories Ltd)介绍了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和碳化硅(SiC)衬底焊接，关键是这两者都是硬质材料，但具有不同的热膨胀系数。 　　使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)，从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。   　　传统GaN HEMT——SiC衬底散热 　　近年来，高频GaN-HEMT功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程[登陆后可查看全文]