晶圆龙头台积电先进制程技术再次向前大步跃进，看好快充电源管理IC市场潜力，协同合作伙伴戴乐格半导体(Dialog Semiconductor)，将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充晶片，挑战快充晶片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。 喧腾已久氮化镓制程，台积电终于宣布跨入氮化镓先进制程，为合作客户德商戴乐格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术，生产首颗氮化镓手机快充晶片，预计在明年第1季产出，该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势，适用于手机及平板等行动快充，将挑战[登陆后可查看全文]