1 引言 该器件专门设计用于中高电流应用。相对于600v igbt3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600v igbt3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。 图1 全新650v igbt4的截面图 2 650v igbt4的设计与技术 全新的650v igbt4[1]采用沟槽mos-top-cell薄片技术和场终止概念，如图1所示。沟槽与场终止技术的结合，带来相对低的通态和关断损耗。相对于600v igbt3，该芯片的厚度增加约15%，mos沟道的宽度降低约20%。因此，关断软度得以改进，从而降低电磁干扰。当然，这[登陆后可查看全文]