1 引言 在现代电气传动系统的整流和逆变中，igbt以其输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等特点被广泛应用，已成为当今功率半导体器件发展的主流器件。跟其他半导体器件一样，igbt的热容量小，能承受的过电流时间短，因此必须设置合理的过电流保护措施，一般是采取设置快熔的方法来实现。另外，为防止事故扩大，也需要使用快熔进行切断。在使用时，快熔与被保护的功率半导体串联，当过载和短路电流通过线路时，快熔中的熔体就会发热而使熔体迅速熔断，从而切断电路，起到保护功率半导体、防止事故扩大的[登陆后可查看全文]