三菱电机开始提供工业用第8代IGBT模块样品
日期:
2025-02-14 23:12
比,独特的SDA结构有助于抑制dv/dt5,并实现更高的开关速度,有望降低导通开关损耗。
独特的CPL结构抑制了关断浪涌电压,与第7代IGBT相比芯片更薄。
2)通过将额定电流提高到1800A,有助于提高逆变器的输出功率
优化的芯片布局实现了1800A的额定电流,是现有产品3的1.5倍。
3)利用现有的LV100封装简化并联设计
采用现有封装简化了并联设计,可以兼容多种功率等级的逆变器设计。
使用现有封装简化了现有产品的替换,缩短了逆变器的设计过程。
4/5
下一页 上一页 首页 尾页