战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”
日期:2023-08-31 11:23
与公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%，与现有3.3kV/750A全SiC功率模块相比降低了66%。从而降低了变流器功率损耗，并有助于提高输出功率和效率，有效减少碳排放。此外，该款SiC MOSFET模块采用了LV100封装形式，可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置，简化电路设计。





（新型3.3kV高压SiC-MOSFET模块）



在电动汽车行业，三菱电机正在开发下一代电动汽车专用功率模块。该系列模块拥有1300V和750V两个电压等级，分别采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技术。该系列模块采用三菱电机擅长的压注模工艺。在保

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