战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”
日期:2023-08-31 11:23
采用了1200V第7代IGBT，而交流开关部分采用了650V第7代IGBT。这款三电平模块具有200A和400A两个电流规格。优化的封装设计使得该模块可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置，简化电路设计。




在轨道牵引行业，继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后，三菱电机新开发了一款集成SBD的SiC-MOSFET模块，其规格为3.3kV/800A，它将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。




在封装结构和形式上，这款SiC MOSFET模块采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构，

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