战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”
日期:2023-08-31 11:23
物半导体技术、利用自主研发沟槽(Trench)结构SiC-MOSFET所实现的低功耗芯片技术、业界顶尖的小型化与轻量化模块技术等。三菱电机功率器件制作所首席技术顾问Gourab Majumdar 博士也在发布会上就三菱电机的技术进展做了充分的补充，包括硅基和碳化硅基两个方面。




以硅基芯片为例，三菱电机研发的硅基IGBT芯片从第3代IGBT到现在第7代IGBT，面积越来越小，每一代IGBT的损耗也在不断降低。当前，三菱电机已经推出采用更精细结构概念、更新工艺技术的新型RC-IGBT芯片。据悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散热，以减少热阻,其损耗也比传

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