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高压IGBT模块 (HVIGBT)
发布时间:2014-08-29        浏览次数:89056        返回列表
 基板:有Cu和AlSiC两种
额定电压:从1700V到6500V
额定电流:从200A到2400A
绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms 
H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
R系列:封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能

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