硅射频高功率MOSFET（RD06LUS2）
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。
随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。
为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。
产 品 特 点
行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围
通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。
内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。
与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。
行业先端的65%漏极效率，实现低功耗
针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。
漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。
双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本
与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。
兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。
主要规格
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型号 |
RD06LUS2 |
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应用 |
手持式双向无线电的射频高功率放大器 |
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结构 |
硅N沟道MOSFET |
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输出功率 |
6.5W typ. (520MHz) |
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漏极效率 |
65% typ. (520MHz) |
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工作电压 |
3.6V |
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尺寸 |
8.0mm×4.9mm×0.75mm |
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样品提供 |
2024年2月28日 |
未来发展
新款RD06LUS2 MOSFET将于2024年7月发售。同时，配套的MOSFET驱动器(RD00LUS2)将于2024年3月开始提供样品，预定于2024年8月发售。此外，为了提供支持，将于2024年5月推出配备RD06LUS2 MOSFET和RD00LUS2驱动器的两级评估板以及非线性仿真模型。
环保意识
本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。
*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率
*2：三菱电机现有的4W 射频高功率MOSFET（RD04LUS2）
*3：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment