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韩国太阳能多晶硅大厂OCI投资1亿美元实施技改

已有34585次阅读  发布时间:2012-06-20
OCI的多晶矽P4、P5厂建设延期,计划投入1,165亿韩元(约9.984亿美元)将现有的多晶矽设备进行改善。OCI计划以去瓶颈提升效率的方式,降低投资成本,并提升产量。

  OCI内部人员表示,至2013年8月,将投资近1亿美元在全罗北道??群山市的多晶矽制造厂P1、P2、P3内进行去瓶颈(Debottlenecking)作业,2013年9月将把多晶矽产量提升至1万吨。届时OCI每公斤销售价格将可较目前降低约2美元。

  OCI表示,2011年底的多晶矽产能约4.2万吨,若依照计划完成去瓶颈作业,产能将可提高至5.2万吨。所谓的去瓶颈作业,指的是提高生产设备的生产效率作业。为了因应未来市场可能增加的需求,OCI仍决定扩大供应量。

  市调机构Solar & Energy太阳能负责人丁浩哲(译名)指出,欧洲财政危机仍让太阳能市场的需求疲软。 OCI延后了数千亿韩元资本支出,改用改善现有产线的方式确保成本竞争力。

  5月OCI才宣布将暂停P4、P5厂的建设计画。 OCI原本预计对两工厂各投资1.6兆及1.8兆韩元。 OCI内部人员表示,OCI改用改善现有工厂的方式,来扩大产量,并能减少投资负担。

  受到欧债危机影响,全球景气陷入不安,太阳能市场的需求也相当低靡。 Solar & Energy估计,结晶矽太阳能面板市场规模将从2011年的32.8GW以年平均17.2%的成长率扩大,2015年约增加至66.9GW。而薄膜形太阳能面板将从2011年4.3GW增加到2015年的13GW,年平均成长31.6%。

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