众所周知，数码摄影摄像中常用的CMOS图像传感器在光线不足的情况下往往表现不佳，近日，德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会最新推出的一款加装了特定光电元件的CMOS传感器则克服了这一问题。
该研究机构２日发表声明说，研究人员已成功将一种名为“横向漂移电场光电探测器”的元件置入CMOS图像传感器，从而大大提高了数据的读取速度。该技术目前已申请专利。
现阶段，CMOS图像传感器已逐渐占领数码摄影市场，越来越多的手机和数码相机选用CMOS芯片。与CCD图像传感器相比，CMOS传感器具有低成本、低功耗、易驱动等诸多优点。
不过，CMOS图像传感器也有其软肋，即在光线条件不佳的情况下，其影像感测效果会大幅劣化。因此，在天文、Ｘ光摄影等特定领域应用时，需要使用较大的像素，以弥补光线的不足。但大像素会影响数据读取速度。
弗劳恩霍夫协会专家说，使用光电元件“横向漂移电场光电探测器”可令CMOS传感器的读取速度提高百倍，这一技术在需要大像素、高读取速度的领域应用前景广阔。
据悉，高速CMOS图像传感器样品目前已制作完成，预计明年可实现批量生产。
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